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产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-89-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 1A，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Power - Max	2.1W
电流 - 集电极截止（最大值）	20nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	5.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 150mA，6.5A
频率 - 跃迁	150MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	ZX5T869ZCT

封装/外壳 TO-243AA  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-89-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-89-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89-3   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V   Power - Max 2.1W  Diodes Incorporated Power - Max 2.1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2.1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2.1W   电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 150mA，6.5A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 150mA，6.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 150mA，6.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 150mA，6.5A   频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz