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ZXGD3001E6TA
ZXGD3001E6TA -
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZXGD3001E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3001E6CT-ND
描述:
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-23-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZXGD3001E6TA产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电压 - 电源
12V(最大)
供应商器件封装
SOT-23-6
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
7.3ns,11ns
通道类型
单路
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
9A,9A
逻辑电压?- VIL,VIH
-
驱动配置
低压侧
驱动器数
1
关键词
产品资料
数据列表
ZXGD3001E6
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装
1
其它名称
ZXGD3001E6CT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-23-6
型号:
ZXGD3002E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3002E6CT-ND
别名:ZXGD3002E6CT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-23-6
型号:
ZXGD3004E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3004E6CT-ND
别名:ZXGD3004E6CT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26
型号:
ZXGD3005E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3005E6TADICT-ND
别名:ZXGD3005E6TADICT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26
型号:
ZXGD3006E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3006E6TADICT-ND
别名:ZXGD3006E6TADICT
无铅
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Diodes Incorporated
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-363
型号:
ZXGD3009DYTA
仓库库存编号:
ZXGD3009DYTADICT-ND
别名:ZXGD3009DYTADICT
无铅
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PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 SOT-23-6
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 SOT-23-6
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
PMIC - 栅极驱动器 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
PMIC - 栅极驱动器 零件状态 在售
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 零件状态 在售
电压 - 电源 12V(最大)
Diodes Incorporated 电压 - 电源 12V(最大)
PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 12V(最大)
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 12V(最大)
供应商器件封装 SOT-23-6
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-6
PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 SOT-23-6
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 SOT-23-6
输入类型 非反相
Diodes Incorporated 输入类型 非反相
PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相
Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相
上升/下降时间(典型值) 7.3ns,11ns
Diodes Incorporated 上升/下降时间(典型值) 7.3ns,11ns
PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间(典型值) 7.3ns,11ns
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通道类型 单路
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栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
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Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 驱动器数 1
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