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ZXM61N02FTA
ZXM61N02FTA -
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZXM61N02FTA
仓库库存编号:
ZXM61N02FCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZXM61N02FTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
3.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 930mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
160pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
625mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
ZXM61N02FTC
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
ZXM61N02F
ZXM61N02FCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 900mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61P02FTA
仓库库存编号:
ZXM61P02FCT-ND
别名:ZXM61P02F
ZXM61P02FCT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN6A07FTA
仓库库存编号:
ZXMN6A07FCT-ND
别名:ZXMN6A07FCT
无铅
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Texas Instruments
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型号:
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仓库库存编号:
296-13012-1-ND
别名:296-13012-1
无铅
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Abracon LLC
CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF T/H
详细描述:32.768kHz ±20ppm 晶体 12.5pF 30 千欧 -10°C ~ 60°C 通孔 圆柱形罐,径向
型号:
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仓库库存编号:
535-9034-ND
别名:300-9034
300-9034-ND
535-9034
AB38T32768KHZ
无铅
搜索
Molex, LLC
CONN HEADER 3POS 1.25MM VERT SMD
详细描述:3 位 接头 连接器 0.049"(1.25mm) 表面贴装 锡
型号:
0533980371
仓库库存编号:
WM7607CT-ND
别名:WM7607CT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Diodes Incorporated
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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