ZXMC3F31DN8TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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ZXMC3F31DN8TA - 

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ZXMC3F31DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3F31DN8TADICT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZXMC3F31DN8TA产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  12.9nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  24 毫欧 @ 7A,10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.8A,4.9A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  608pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平栅极,4.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  1.8W  
关键词         

产品资料
数据列表 ZXMC3F31DN8
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 ZXMC3F31DN8TADICT

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