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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	24.2nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	45 毫欧 @ 8.2A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.9A，3.7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1407pF @ 40V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA（最小）
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	1.8W
关键词

产品资料

数据列表	ZXMC6A09DN8
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	ZXMC6A09DN8TACT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.2nC @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.2nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.2nC @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.2nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 8.2A，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 8.2A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 8.2A，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 8.2A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A，3.7A  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A，3.7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A，3.7A  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A，3.7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1407pF @ 40V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1407pF @ 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1407pF @ 40V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1407pF @ 40V   FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）   漏源电压（Vdss） 60V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 1.8W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.8W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.8W  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.8W