ZXMD63C03XTA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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ZXMD63C03XTA
ZXMD63C03XTA -
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZXMD63C03XTA
仓库库存编号:
ZXMD63C03XCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZXMD63C03XTA产品属性
产品规格
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-MSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
135 毫欧 @ 1.7A,10V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 25V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA(最小)
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
1.04W
关键词
产品资料
数据列表
ZXMD63C03XTC
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
ZXMD63C03X
ZXMD63C03XCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Linear Technology
IC REG LIN POS ADJ 100MA 12DFN
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable Output 0.6 V ~ 44.5 V 100mA 12-DFN (3x2)
型号:
LT3050EDDB#TRMPBF
仓库库存编号:
LT3050EDDB#TRMPBFCT-ND
别名:LT3050EDDB#TRMPBFCT
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC CCD SIGNAL PROCESSR 128CSBGA
型号:
AD9928BBCZ
仓库库存编号:
AD9928BBCZ-ND
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 8-MSOP
Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-MSOP
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-MSOP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V
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漏源电压(Vdss) 30V
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功率 - 最大值 1.04W
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.04W
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.04W
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