关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	25.7nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	55 毫欧 @ 4.9A，10V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	930pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA（最小）
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1.75W
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	ZXMD65P03N8CT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Diodes Incorporated 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25.7nC @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25.7nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25.7nC @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25.7nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4.9A，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4.9A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4.9A，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4.9A，10V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 930pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 930pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 930pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 930pF @ 25V   FET 功能 标准  Diodes Incorporated FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）   漏源电压（Vdss） 30V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.75W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.75W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.75W  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.75W