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ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14FTA -
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZXMN2A14FTA
仓库库存编号:
ZXMN2A14FCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZXMN2A14FTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
544pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
ZXMN2A14FTA
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
ZXMN2A14FCT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMP3A13FTA
仓库库存编号:
ZXMP3A13FCT-ND
别名:ZXMP3A13FCT
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC OPAMP VFB 50MHZ RRO 8MSOP
详细描述:电压反馈 放大器 电路 满摆幅 8-MSOP
型号:
AD8652ARMZ-REEL
仓库库存编号:
AD8652ARMZ-REELCT-ND
别名:AD8652ARMZ-REELCT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±12V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 544pF @ 10V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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