ZXTC2062E6TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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ZXTC2062E6TA - 

TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZXTC2062E6TA
仓库库存编号：
ZXTC2062E6CT-ND
描述：
TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 4A, 3.5A 215MHz, 290MHz 1.1W Surface Mount SOT-26
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ZXTC2062E6TA产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-26  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  280 @ 1A，2V / 170 @ 1A，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  50nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  190mV @ 200mA，4A / 250mV @ 175mA，3.5A  
  频率 - 跃迁  215MHz，290MHz  
  功率 - 最大值  1.1W  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  4A，3.5A  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 ZXTC2062E6
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
PCN 其它 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装 1
其它名称 ZXTC2062E6CT

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