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产品规格

封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-DFN（3x2）
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A
频率 - 跃迁	165MHz，190MHz
功率 - 最大值	1.7W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	4A，3A
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V，40V
关键词

产品资料

数据列表	ZXTC6719MC
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	ZXTC6719MCTACT

封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-DFN（3x2）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-DFN（3x2）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-DFN（3x2）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-DFN（3x2）   晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A   频率 - 跃迁 165MHz，190MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 165MHz，190MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 165MHz，190MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 165MHz，190MHz   功率 - 最大值 1.7W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.7W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.7W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.7W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A，3A  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A，3A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A，3A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V