ZXTD09N50DE6TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ZXTD09N50DE6TA - 

TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6

Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6TA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZXTD09N50DE6TA
仓库库存编号：
ZXTD09N50DE6CT-ND
描述：
TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 1A 215MHz 1.1W Surface Mount SOT-26
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ZXTD09N50DE6TA产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-26  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  200 @ 500mA，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  10nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  270mV @ 50mA，1A  
  频率 - 跃迁  215MHz  
  功率 - 最大值  1.1W  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  1A  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 ZXTD09N50DE6
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
PCN 其它 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装 1
其它名称 ZXTD09N50DE6CT

ZXTD09N50DE6TA您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

ZXTD09N50DE6TA相关搜索

封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-26  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26   晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A   频率 - 跃迁 215MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 215MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 215MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 215MHz   功率 - 最大值 1.1W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号