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产品规格

封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-MLP（3x2）
晶体管类型	2 PNP（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 2A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	25nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 350mA，3.5A
频率 - 跃迁	180MHz
功率 - 最大值	1.7W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	3.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）	20V
关键词

产品资料

数据列表	ZXTD2M832TA
标准包装	1
其它名称	ZXTD2M832CT ZXTD2M832TA-ND

封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-MLP（3x2）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-MLP（3x2）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-MLP（3x2）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-MLP（3x2）   晶体管类型 2 PNP（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 350mA，3.5A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 350mA，3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 350mA，3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 350mA，3.5A   频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 180MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz   功率 - 最大值 1.7W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.7W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.7W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.7W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3.5A  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3.5A   电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V