ZXTEM322TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ZXTEM322TA - 

TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP

  • 已过时的产品。
Diodes Incorporated ZXTEM322TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ZXTEM322TA
仓库库存编号:
ZXTEM322CT-ND
描述:
TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3.5A 160MHz 3W Surface Mount 3-MLP/DFN (2x2)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

ZXTEM322TA产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-PowerSMD,引线  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  3-MLP/DFN(2x2)  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  300 @ 200mA,2V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  80V  
  Power - Max  3W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  25nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  3.5A  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  325mV @ 300mA,3.5A  
  频率 - 跃迁  160MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 ZXTEM322TA
标准包装 1
其它名称 ZXTEM322TR

ZXTEM322TA相关搜索

封装/外壳 3-PowerSMD,引线  Diodes Incorporated 封装/外壳 3-PowerSMD,引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-PowerSMD,引线  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-PowerSMD,引线   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 3-MLP/DFN(2x2)  Diodes Incorporated 供应商器件封装 3-MLP/DFN(2x2)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-MLP/DFN(2x2)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-MLP/DFN(2x2)   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 200mA,2V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 200mA,2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 200mA,2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 200mA,2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 3W  Diodes Incorporated Power - Max 3W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3W   电流 - 集电极截止(最大值) 25nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 25nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 25nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 25nA   Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 325mV @ 300mA,3.5A  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 325mV @ 300mA,3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 325mV @ 300mA,3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 325mV @ 300mA,3.5A   频率 - 跃迁 160MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 160MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 160MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 160MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号