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产品规格

封装/外壳	PowerDI? 5
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerDI? 5
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	2000 @ 1A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Power - Max	3.2W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 1mA，1A
频率 - 跃迁	150MHz
关键词

产品资料

数据列表	ZXTN04120HP5
标准包装	1
其它名称	ZXTN04120HP5TCDICT

封装/外壳 PowerDI? 5  Diodes Incorporated 封装/外壳 PowerDI? 5  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 PowerDI? 5  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 PowerDI? 5   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerDI? 5  Diodes Incorporated 供应商器件封装 PowerDI? 5  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PowerDI? 5  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PowerDI? 5   晶体管类型 NPN - 达林顿  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 1A，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 1A，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 1A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V   Power - Max 3.2W  Diodes Incorporated Power - Max 3.2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3.2W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3.2W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 1mA，1A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 1mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 1mA，1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 1mA，1A   频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz