关于我们 | 联系我们

库存查询

• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 2A，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	4.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	210mV @ 200mA，5A
频率 - 跃迁	130MHz
关键词

产品资料

数据列表	ZXTN2010ASTZ
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	ZXTN2010ASTZCT

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 TO-92-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 1W  Diodes Incorporated Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 210mV @ 200mA，5A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 210mV @ 200mA，5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 210mV @ 200mA，5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 210mV @ 200mA，5A   频率 - 跃迁 130MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 130MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz