ZXTN2010GTA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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ZXTN2010GTA
ZXTN2010GTA -
TRANS NPN 60V 6A SOT223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZXTN2010GTA
仓库库存编号:
ZXTN2010GTACT-ND
描述:
TRANS NPN 60V 6A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZXTN2010GTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 2A,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Power - Max
3W
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
260mV @ 300mA,6A
频率 - 跃迁
130MHz
关键词
产品资料
数据列表
ZXTN2010GTA
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装
1
其它名称
ZXTN2010GCT
ZXTN2010GCT-ND
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