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EPC2012C - 

TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

EPC EPC2012C
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
EPC EPC
制造商产品编号：
EPC2012C
仓库库存编号：
917-1084-1-ND
描述：
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 模具剖面（4 焊条）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EPC2012C产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  eGaN?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具剖面（4 焊条）  
  技术  GaNFET（氮化镓）  
  Vgs（最大值）  +6V，-4V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.3nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  100 毫欧 @ 3A，5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  140pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2012C Datasheet
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装 1
其它名称 917-1084-1

EPC2012C配套

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EPC2012C配用

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