EPC2025ENGR,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

EPC2025ENGR - 

TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

  • 非库存货
  • 该零件为工程样品，未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证，不得用于生产或终端应用。
EPC EPC2025ENGR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
EPC EPC
制造商产品编号：
EPC2025ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2025ENGR-ND
描述：
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具剖面（12 焊条）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EPC2025ENGR产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  eGaN?  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具剖面（12 焊条）  
  技术  GaNFET（氮化镓）  
  Vgs（最大值）  +6V，-4V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.85nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  150 毫欧 @ 3A，5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  194pF @ 240V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  300V  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2025 Datasheet
应用说明 Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装 10
其它名称 917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC

EPC2025ENGR您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

EPC2025ENGR相关搜索

封装/外壳 模具  EPC 封装/外壳 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 EPC  EPC 制造商 EPC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 EPC  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 EPC   安装类型 表面贴装  EPC 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 eGaN?  EPC 系列 eGaN?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 eGaN?  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 eGaN?   包装 托盘   EPC 包装 托盘   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 托盘   EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 托盘    零件状态 在售  EPC 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具剖面（12 焊条）  EPC 供应商器件封装 模具剖面（12 焊条）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具剖面（12 焊条）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具剖面（12 焊条）   技术 GaNFET（氮化镓）  EPC 技术 GaNFET（氮化镓）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 GaNFET（氮化镓）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 GaNFET（氮化镓）   Vgs（最大值） +6V，-4V  EPC Vgs（最大值） +6V，-4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +6V，-4V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +6V，-4V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.85nC @ 5V  EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.85nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.85nC @ 5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.85nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 3A，5V  EPC 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 3A，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 3A，5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 3A，5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  EPC 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V   FET 类型 N 沟道  EPC FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  EPC 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 194pF @ 240V  EPC 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 194pF @ 240V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 194pF @ 240V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 194pF @ 240V   FET 功能 -  EPC FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  EPC 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） -  EPC 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 300V  EPC 漏源电压（Vdss） 300V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 300V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 300V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号