EPC2037,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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EPC2037
EPC2037 -
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC
EPC
制造商产品编号:
EPC2037
仓库库存编号:
917-1137-1-ND
描述:
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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EPC2037产品属性
产品规格
制造商
EPC
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
eGaN?
零件状态
在售
技术
GaNFET(氮化镓)
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.12nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
550 毫欧 @ 100mA,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 80μA
功率耗散(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
应用说明
Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装
1
其它名称
917-1137-1
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别名:1127-1176-1
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