EPC2040ENGRT,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
EPC2040ENGRT
EPC2040ENGRT -
TRANS GAN 15V BUMPED DIE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC
EPC
制造商产品编号:
EPC2040ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2040ENGRCT-ND
描述:
TRANS GAN 15V BUMPED DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 模具
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
EPC2040ENGRT产品属性
产品规格
封装/外壳
模具
制造商
EPC
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
eGaN?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
模具
技术
GaNFET(氮化镓)
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.93nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 1.5A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
100pF @ 6V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
15V
关键词
产品资料
数据列表
EPC2040 Preliminary~
应用说明
Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装
1
其它名称
917-1139-1
917-1139-1-ND
917-EPC2040ENGRCT
EPC2040ENGRT您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC GATE DRIVER 6SON
详细描述:High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 6-SON (2x2)
型号:
UCC27611DRVT
仓库库存编号:
296-35639-1-ND
别名:296-35639-1
无铅
搜索
EPC
EVAL BOARD CLASS D WIRELESS DEMO
详细描述:EPC2014 eGaN? Series Power Management, Wireless Power Supply Evaluation Board
型号:
EPC9111
仓库库存编号:
917-1053-ND
别名:917-1053
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 模具
型号:
EPC2016C
仓库库存编号:
917-1080-1-ND
别名:917-1080-1
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2007C
仓库库存编号:
917-1081-1-ND
别名:917-1081-1
无铅
搜索
EPC
MOSFET NCH 15V 3.4A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 15V 3.4A(Ta) 模具
型号:
EPC2040
仓库库存编号:
917-1153-1-ND
别名:917-1153-1
无铅
搜索
EPC2040ENGRT相关搜索
封装/外壳 模具
EPC 封装/外壳 模具
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具
制造商 EPC
EPC 制造商 EPC
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC
安装类型 表面贴装
EPC 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 eGaN?
EPC 系列 eGaN?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?
包装 剪切带(CT)
EPC 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
EPC 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 模具
EPC 供应商器件封装 模具
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具
技术 GaNFET(氮化镓)
EPC 技术 GaNFET(氮化镓)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)
Vgs(最大值) +6V,-4V
EPC Vgs(最大值) +6V,-4V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.93nC @ 5V
EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.93nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.93nC @ 5V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.93nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 1.5A,5V
EPC 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 1.5A,5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 1.5A,5V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 1.5A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
EPC 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
FET 类型 N 沟道
EPC FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Ta)
EPC 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Ta)
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 6V
EPC 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 6V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 6V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 100pF @ 6V
FET 功能 -
EPC FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
EPC 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值) -
EPC 功率耗散(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -
漏源电压(Vdss) 15V
EPC 漏源电压(Vdss) 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 15V
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 15V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号