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产品规格

封装/外壳	模具
制造商	EPC
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	eGaN?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	模具
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	3.5nC @ 15V，15nC @ 15V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8 毫欧 @ 25A，5V，2 毫欧 @ 25A，5V
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.5A（Tj），38A（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	380pF @ 15V，1700pF @ 15V
FET 功能	GaNFET（氮化镓）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 4mA， 2.5V @ 16mA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	EPC2100 Preliminary Datasheet
应用说明	GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density Assembling eGaN? FETs Using eGaN? FETs Quick Reference - Die Attach Quick Reference - Die Removal
标准包装	1
其它名称	917-EPC2100ENGRCT

封装/外壳 模具  EPC 封装/外壳 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模具  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模具   制造商 EPC  EPC 制造商 EPC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 EPC  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 EPC   安装类型 表面贴装  EPC 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 eGaN?  EPC 系列 eGaN?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 eGaN?  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 eGaN?   包装 剪切带（CT）   EPC 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  EPC 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  EPC 供应商器件封装 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模具  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模具   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 15V，15nC @ 15V  EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 15V，15nC @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 15V，15nC @ 15V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 15V，15nC @ 15V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 25A，5V，2 毫欧 @ 25A，5V  EPC 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 25A，5V，2 毫欧 @ 25A，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 25A，5V，2 毫欧 @ 25A，5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 25A，5V，2 毫欧 @ 25A，5V   FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  EPC FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（半桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Tj），38A（Tj）  EPC 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Tj），38A（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Tj），38A（Tj）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Tj），38A（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V，1700pF @ 15V  EPC 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V，1700pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V，1700pF @ 15V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V，1700pF @ 15V   FET 功能 GaNFET（氮化镓）  EPC FET 功能 GaNFET（氮化镓）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 GaNFET（氮化镓）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 GaNFET（氮化镓）   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 4mA， 2.5V @ 16mA  EPC 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 4mA， 2.5V @ 16mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 4mA， 2.5V @ 16mA  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 4mA， 2.5V @ 16mA   漏源电压（Vdss） 30V  EPC 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 -  EPC 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -