EPC2108ENGRT,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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EPC2108ENGRT - 

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

  • 该零件为工程样品，未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证，不得用于生产或终端应用。
EPC EPC2108ENGRT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
EPC EPC
制造商产品编号：
EPC2108ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2108ENGRCT-ND
描述：
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EPC2108ENGRT产品属性


产品规格
  封装/外壳  9-VFBGA  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  eGaN?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  9-BGA (1.35x1.35)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V  
  FET 类型  3 N 沟道（半桥 + 同步自举）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.7A，500mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  22pF @ 30V, 7pF @ 30V  
  FET 功能  GaNFET（氮化镓）  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA  
  漏源电压（Vdss）  60V，100V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2108 Preliminary Datasheet
标准包装 1
其它名称 917-EPC2108ENGRCT

EPC2108ENGRT配套

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EPC2108ENGRT配用

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