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• 该零件为工程样品，未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证，不得用于生产或终端应用。

产品规格

封装/外壳	模具
制造商	EPC
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	eGaN?
包装	托盘
零件状态	在售
供应商器件封装	模具
技术	GaNFET（氮化镓）
Vgs（最大值）	+6V，-5V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	0.3nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	160 毫欧 @ 500mA，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.8A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	39pF @ 20V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

数据列表	EPC8007 Preliminary Datasheet eGaN® FET Brief
应用说明	Assembling eGaN? FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure
标准包装	10
其它名称	917-EPC8007ENGR

封装/外壳 模具  EPC 封装/外壳 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 EPC  EPC 制造商 EPC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 EPC  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 EPC   安装类型 表面贴装  EPC 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 eGaN?  EPC 系列 eGaN?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 eGaN?  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 eGaN?   包装 托盘   EPC 包装 托盘   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 托盘   EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 托盘    零件状态 在售  EPC 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  EPC 供应商器件封装 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   技术 GaNFET（氮化镓）  EPC 技术 GaNFET（氮化镓）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 GaNFET（氮化镓）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 GaNFET（氮化镓）   Vgs（最大值） +6V，-5V  EPC Vgs（最大值） +6V，-5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +6V，-5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +6V，-5V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.3nC @ 5V  EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.3nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.3nC @ 5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.3nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 500mA，5V  EPC 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 500mA，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 500mA，5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 500mA，5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  EPC 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V   FET 类型 N 沟道  EPC FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）  EPC 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 39pF @ 20V  EPC 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 39pF @ 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 39pF @ 20V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 39pF @ 20V   FET 功能 -  EPC FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  EPC 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） -  EPC 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 40V  EPC 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  EPC 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V