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EPC8009ENGR - 

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

  • 已过时的产品。
  • 该零件为工程样品,未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证,不得用于生产或终端应用。
EPC EPC8009ENGR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC EPC
制造商产品编号:
EPC8009ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8009ENGR-ND
描述:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 65V 4.1A(Ta) 模具
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

EPC8009ENGR产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  eGaN?  
  包装  托盘   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  模具  
  技术  GaNFET(氮化镓)  
  Vgs(最大值)  +6V,-5V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.38nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  138 毫欧 @ 500mA,5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4.1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  47pF @ 32.5V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  65V  
关键词         

产品资料
应用说明 Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
标准包装 10
其它名称 917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG

EPC8009ENGR配套

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EPC8009ENGR配用

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