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EPC8009ENGR - 

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

  • 已过时的产品。
  • 该零件为工程样品，未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证，不得用于生产或终端应用。
EPC EPC8009ENGR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
EPC EPC
制造商产品编号：
EPC8009ENGR
仓库库存编号：
917-EPC8009ENGR-ND
描述：
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 65V 4.1A（Ta） 模具
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EPC8009ENGR产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  eGaN?  
  包装  托盘   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  模具  
  技术  GaNFET（氮化镓）  
  Vgs（最大值）  +6V，-5V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.38nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  138 毫欧 @ 500mA，5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.1A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  47pF @ 32.5V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  65V  
关键词         

产品资料
应用说明 Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
标准包装 10
其它名称 917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG

EPC8009ENGR配套

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EPC8009ENGR配用

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