2N5089BU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2N5089BU
2N5089BU -
TRANS NPN 25V 0.1A TO-92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
2N5089BU
仓库库存编号:
2N5089BU-ND
描述:
TRANS NPN 25V 0.1A TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N5089BU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
400 @ 100μA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Power - Max
625mW
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 1mA,10mA
频率 - 跃迁
50MHz
关键词
产品资料
数据列表
2N5088/89, MMBT5088/89
标准包装
1,000
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 散装
Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 400 @ 100μA,5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 400 @ 100μA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 400 @ 100μA,5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 400 @ 100μA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Power - Max 625mW
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 625mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 1mA,10mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 1mA,10mA
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频率 - 跃迁 50MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz
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