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2N5458_D26Z - 

JFET N-CH 25V 625MW TO92

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor 2N5458_D26Z
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2N5458_D26Z
仓库库存编号：
2N5458_D26Z-ND
描述：
JFET N-CH 25V 625MW TO92
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 25V 625mW Through Hole TO-92-3
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
2N5458_D26Z
库存编号:2N5458_D26Z-ND		 onsemi JFET N-CH 25V TO92-30
2000起订		2000+
4000+
6000+
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2N5458_D26Z产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7pF @ 15V  
  Power - Max  625mW  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  2mA @ 15V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  1V @ 10nA  
  电压 - 击穿（V（BR）GSS）  25V  
  电阻 - RDS（开）  -  
关键词         

产品资料
数据列表 2N5457-59, MMBF5457-59
标准包装 2,000

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封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V   Power - Max 625mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 625mW  晶体管 - JFET Power - Max 625mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 625mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V   电阻 - RDS（开） -  Fairchild/ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  
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型号 制造商 描述 操作
2N5458_D26Z
[更多]		 ON Semiconductor

JFET N-Channel Transistor General Purpose

RoHS: Compliant

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Fairchild/ON Semiconductor - 2N5458_D26Z - JFET N-CH 25V 625MW TO92		Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 25V 625MW TO92
详细描述：JFET N-Channel 25V 625mW Through Hole TO-92-3

型号：2N5458_D26Z
仓库库存编号：2N5458_D26Z-ND

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2N5458_D26Z|Fairchild Semiconductor2N5458_D26Z
Fairchild Semiconductor		JFET N-Channel Transistor General Purpose
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2N5458_D26Z|Fairchild Semiconductor2N5458_D26Z
Fairchild Semiconductor		IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Rohs

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2N5458_D26Z|Fairchild Semiconductor2N5458_D26Z
Fairchild Semiconductor		JFET N-Channel Transistor General Purpose
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