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2N5462_D27Z
2N5462_D27Z -
JFET P-CH 40V 0.35W TO92
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号：
2N5462_D27Z
仓库库存编号：
2N5462_D27Z-ND
描述：
JFET P-CH 40V 0.35W TO92
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET P-Channel 40V 350mW Through Hole TO-92-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N5462_D27Z产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7pF @ 15V
Power - Max
350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
4mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1.8V @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
40V
电阻 - RDS（开）
-
关键词
产品资料
数据列表
2N5460-62, MMBF5460-62
标准包装
2,000
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封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
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包装 带卷（TR）
Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 P 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 P 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V
Power - Max 350mW
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 350mW
晶体管 - JFET Power - Max 350mW
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 4mA @ 15V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 4mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 4mA @ 15V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 4mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.8V @ 1μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.8V @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.8V @ 1μA
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电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V
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晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V
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