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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-23-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 2mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Power - Max	350mW
电流 - 集电极截止（最大值）	20nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	550mV @ 1.25mA，50mA
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	BCW61A/B/C/D Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
标准包装	1
其它名称	BCW61BMTFCT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 PNP  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 2mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 2mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 2mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V   Power - Max 350mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW   电流 - 集电极截止（最大值） 20nA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA   频率 - 跃迁 -  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -