BD678AS,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BD678AS
BD678AS -
TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
BD678AS
仓库库存编号:
BD678AS-ND
描述:
TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 14W Through Hole TO-126
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BD678AS产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-225AA,TO-126-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-126
晶体管类型
PNP - 达林顿
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
750 @ 2A,3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Power - Max
14W
电流 - 集电极截止(最大值)
500μA
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
2.8V @ 40mA,2A
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
数据列表
BD676A/678A/680A/682
标准包装
250
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封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 散装
Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-126
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-126
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-126
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-126
晶体管类型 PNP - 达林顿
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 PNP - 达林顿
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 2A,3V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 2A,3V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 2A,3V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 2A,3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Power - Max 14W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 14W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 14W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 14W
电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 4A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2.8V @ 40mA,2A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2.8V @ 40mA,2A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2.8V @ 40mA,2A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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