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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	38 @ 7mA，10V
频率 - 跃迁	1.1GHz
功率 - 最大值	350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	25V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

标准包装	2,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 38 @ 7mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 38 @ 7mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 38 @ 7mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 38 @ 7mA，10V   频率 - 跃迁 1.1GHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 1.1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.1GHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.1GHz   功率 - 最大值 350mW  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V   增益 -  Fairchild/ON Semiconductor 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Fairchild/ON Semiconductor 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -