BS170_D75Z,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BS170_D75Z
BS170_D75Z -
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
BS170_D75Z
仓库库存编号:
BS170_D75ZCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 500mA(Ta) 830mW(Ta) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BS170_D75Z产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 200mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
500mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
40pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
功率耗散(最大值)
830mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BS170, MMBF170
标准包装
1
其它名称
BS170_D75ZCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
2N3904BU
仓库库存编号:
2N3904FS-ND
别名:2N3904FS
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000TA
仓库库存编号:
2N7000TACT-ND
别名:2N7000TACT
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 800mA 300MHz 500mW Through Hole TO-18
型号:
2N2222A
仓库库存编号:
2N2222ACS-ND
别名:2N2222A LEAD FREE
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 40pF @ 10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 830mW(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 830mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 830mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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