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FCD7N60TF - 

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FCD7N60TF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FCD7N60TF
仓库库存编号:
FCD7N60TFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FCD7N60TF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  SuperFET??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  D-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  30nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  600 毫欧 @ 3.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  7A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  920pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  83W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 FCD7N60, FCU7N60
标准包装 1
其它名称 FCD7N60TFCT

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