FCPF380N60,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FCPF380N60
FCPF380N60 -
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FCPF380N60
仓库库存编号:
FCPF380N60FS-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FCPF380N60产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SuperFET? II
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
380 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.2A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1665pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
31W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
FCP(F)380N60
标准包装
50
其它名称
FCPF380N60-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF11N60F
仓库库存编号:
FCPF11N60F-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60
仓库库存编号:
FCPF190N60-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3
型号:
FCPF380N60E
仓库库存编号:
FCPF380N60E-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF600N60Z
仓库库存编号:
FCPF600N60Z-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF380N60_F152
仓库库存编号:
FCPF380N60_F152-ND
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Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.2A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1665pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1665pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1665pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1665pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 31W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 31W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 31W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 31W(Tc)
漏源电压(Vdss) 600V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 600V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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