关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	EPM15
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	Power-SPM??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	EPM15
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	87nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	4.5 毫欧 @ 40A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	60A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3890pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

标准包装	19

封装/外壳 EPM15  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 EPM15  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 EPM15  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 EPM15   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 Power-SPM??  Fairchild/ON Semiconductor 系列 Power-SPM??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Power-SPM??  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Power-SPM??   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 EPM15  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 EPM15  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 EPM15  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 EPM15   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3890pF @ 25V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3890pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3890pF @ 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3890pF @ 25V   FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 -  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -