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产品规格

封装/外壳	8-PowerSFN
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	8-HPSOF
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	133nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2 毫欧 @ 80A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	300A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9760pF @ 50V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	429W（Tc）
漏源电压（Vdss）	100V
关键词

产品资料

数据列表	FDBL0200N100
标准包装	2,000

封装/外壳 8-PowerSFN  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerSFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerSFN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerSFN   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-HPSOF  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 8-HPSOF  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-HPSOF  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-HPSOF   技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Fairchild/ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 133nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 毫欧 @ 80A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 毫欧 @ 80A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 毫欧 @ 80A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 毫欧 @ 80A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300A（Tc）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300A（Tc）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9760pF @ 50V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9760pF @ 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9760pF @ 50V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9760pF @ 50V   FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 429W（Tc）  Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 429W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 429W（Tc）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 429W（Tc）   漏源电压（Vdss） 100V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V