FDBL86363_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDBL86363_F085
FDBL86363_F085 -
MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDBL86363_F085
仓库库存编号:
FDBL86363_F085CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 357W(Tj) 8-PSOF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDBL86363_F085产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerSFN
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-PSOF
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
169nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2 毫欧 @ 80A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
240A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10000pF @ 40V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
357W(Tj)
漏源电压(Vdss)
80V
关键词
产品资料
数据列表
FDBL86363_F085
标准包装
1
其它名称
FDBL86363_F085CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86361_F085
仓库库存编号:
FDBL86361_F085CT-ND
别名:FDBL86361_F085CT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0150N80
仓库库存编号:
FDBL0150N80CT-ND
别名:FDBL0150N80CT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86366_F085
仓库库存编号:
FDBL86366_F085CT-ND
别名:FDBL86366_F085CT
无铅
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详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
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仓库库存编号:
IPT012N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPT012N08N5ATMA1CT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 210A(Tc) 3.5W(Ta), 300W(Tc) 8-PSOF
型号:
FDBL0240N100
仓库库存编号:
FDBL0240N100CT-ND
别名:FDBL0240N100CT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 357W(Tj)
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Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 80V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
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