FDC2612,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDC2612
FDC2612 -
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDC2612
仓库库存编号:
FDC2612CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDC2612产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SuperSOT?-6
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
11nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
725 毫欧 @ 1.1A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.1A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
234pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
FDC2612
PCN 封装
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装
1
其它名称
FDC2612CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
LM3478MM/NOPB
仓库库存编号:
LM3478MM/NOPBCT-ND
别名:*LM3478MM/NOPB
LM3478MM/NOPBCT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2512
仓库库存编号:
FDC2512CT-ND
别名:FDC2512CT
无铅
搜索
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详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
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仓库库存编号:
IRF5801TRPBFCT-ND
别名:IRF5801TRPBFCT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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