FDC3601N,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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FDC3601N - 

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Fairchild/ON Semiconductor FDC3601N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDC3601N
仓库库存编号：
FDC3601NCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDC3601N产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SuperSOT?-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  500 毫欧 @ 1A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  153pF @ 50V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  700mW  
关键词         

产品资料
数据列表 FDC3601N
PCN 封装 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装 1
其它名称 FDC3601NCT

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