FDC608PZ,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
FDC608PZ
FDC608PZ -
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDC608PZ
仓库库存编号:
FDC608PZCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FDC608PZ产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SuperSOT?-6
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
23nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1330pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
FDC608PZ
PCN 封装
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装
1
其它名称
FDC608PZCT
FDC608PZ您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138CT-ND
别名:BSS138CT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC GATE NAND 2CH 2-INP SM8
详细描述:NAND Gate IC Channel SM8
型号:
SN74LVC2G00DCTR
仓库库存编号:
296-13257-1-ND
别名:296-13257-1
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC5614P
仓库库存编号:
FDC5614PCT-ND
别名:FDC5614PCT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323HE
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30V 1A SOD-323HE
型号:
SS13HE
仓库库存编号:
SS13HECT-ND
别名:SS13HECT
无铅
搜索
Silicon Labs
IC BRIDGE USB TO UART 28QFN
详细描述:USB 桥,USB 至 UART USB 2.0 UART 接口 28-QFN(5x5)
型号:
CP2102N-A01-GQFN28
仓库库存编号:
336-3694-ND
别名:336-3694
无铅
搜索
FDC608PZ相关搜索
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SuperSOT?-6
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SuperSOT?-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SuperSOT?-6
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SuperSOT?-6
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
FET 类型 P 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 10V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号