FDC6320C,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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FDC6320C
FDC6320C -
MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDC6320C
仓库库存编号:
FDC6320CCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 120mA 700mW Surface Mount 6-SSOT
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDC6320C产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-SSOT
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
220mA,120mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9.5pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
25V
功率 - 最大值
700mW
关键词
产品资料
数据列表
FDC6320C
PCN 封装
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装
1
其它名称
FDC6320CCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 2A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6333C
仓库库存编号:
FDC6333CCT-ND
别名:FDC6333CCT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6327C
仓库库存编号:
FDC6327CCT-ND
别名:FDC6327CCT
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
型号:
DMG6602SVT-7
仓库库存编号:
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别名:DMG6602SVT-7DICT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A, 2.6A 800mW Surface Mount TSOT-26
型号:
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仓库库存编号:
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别名:DMC2038LVT-7DICT
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
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供应商器件封装 6-SSOT
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 6-SSOT
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V
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Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 700mW
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 700mW
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 700mW
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