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FDC855N - 

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Fairchild/ON Semiconductor FDC855N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDC855N
仓库库存编号:
FDC855NCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 6.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
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(工作日)
操作
FDC855N
库存编号:FDC855NCT-ND
onsemi MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT64561
1起订
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10+
100+
500+
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FDC855N
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FDC855N
库存编号:FDC855NTR-ND
onsemi MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT63000
3000起订
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FDC855N
库存编号:2156-FDC855N-ND
Rochester Electronics LLC SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI0
1265起订
1265+
¥2.99
6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
FDC855N
库存编号:512-FDC855N
onsemi MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench19167
1起订
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FDC855N
库存编号:FDC855N
onsemi Semiconductors2585
5起订
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(含税)
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(工作日)
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FDC855N
库存编号:FDC855N
onsemi Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC855N)0
6000起订
6000+
12000+
18000+
30000+
60000+
¥1.57
¥1.54
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1-2周询价 询价
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(工作日)
操作
FDC855N
库存编号:FDC855N
onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 6.1A, Idm: 20A, 1.6W0
1起订
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¥13.24
¥6.97
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¥4.18
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1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
FDC855N Fairchild Semiconductor Corporation SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.1A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MO-193AA3038
1起订
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270+
1345+
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¥2.22
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
操作
FDC855N
库存编号:1663629
onsemi MOSFET, Fairchild, FDC855N, RL140
3000起订
3000+
6000+
30000+
¥3.44
¥3.3
¥3.23
1-3周询价 询价
FDC855N
库存编号:8090871
onsemi MOSFET, Fairchild, FDC855N, PK140
20起订
20+
760+
1500+
¥5.21
¥5.05
¥4.9
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FDC855N
库存编号:8090871P
onsemi MOSFET, Fairchild, FDC855N, RL140
760起订
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1500+
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¥4.9
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FDC855N产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SuperSOT?-6  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  13nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  27 毫欧 @ 6.1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  655pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.6W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDC855N
PCN 封装 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装 1
其它名称 FDC855NCT

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型号 制造商 描述 操作
FDC855N
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MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

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FDC855N
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MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

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FDC855N
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDC855N
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ON Semiconductor

MOSFET 30V Single NCh Logic Level PowerTrench

RoHS: Compliant

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FDC855N
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R

RoHS: Compliant

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FDC855N
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R (Alt: FDC855N)

RoHS: Compliant

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FDC855N
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R - Cut Tape Product (Alt: FDC855N)

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC855N)

RoHS: Compliant

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FDC855N
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R

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FDC855N
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ON Semiconductor

MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A,

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FDC855N
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ON Semiconductor

N-Channel 30 V 27 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench? MOSFET-SSOT-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
FDC855N
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - FDC855N - MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6

型号:FDC855N
仓库库存编号:FDC855NCT-ND
别名:FDC855NCT <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FDC855N
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDC855N
2459564

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6

(EN)
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FDC855N
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDC855N
2322582

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDC855N - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
FDC855N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0871
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FDC855N|FAIRCHILDFDC855N
FAIRCHILD
FDC855N 系列 30 V 27 mOhm 单 N沟道 逻辑电平 PowerTrench? MOSFET
Rohs

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无图FDC855N-BKN
FSC
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R
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FDC855N|Fairchild SemiconductorFDC855N
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
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FDC855N|FAIRCHILDFDC855N
FAIRCHILD
FDC855N 系列 30 V 27 mOhm 单 N沟道 逻辑电平 PowerTrench? MOSFET
Rohs

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FDC855N|Fairchild SemiconductorFDC855N
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Rohs

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