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FDD1600N10ALZ - 

MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3

Fairchild/ON Semiconductor FDD1600N10ALZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号:
FDD1600N10ALZCT-ND
描述:
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDD1600N10ALZ产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-252,(D-Pak)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  3.61nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  160 毫欧 @ 3.4A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.8A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  225pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.8V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  14.9W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDD1600N10ALZ
标准包装 1
其它名称 FDD1600N10ALZCT

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