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FDD6680AS - 

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Fairchild/ON Semiconductor FDD6680AS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDD6680AS
仓库库存编号：
FDD6680ASFSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 60W（Ta） TO-252
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDD6680AS
库存编号:4518-FDD6680ASCT-ND		 UMW MOSFET N-CH 30V 55A DPAK2500
1起订		1+
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￥8.23
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￥2.69
6-10天购买 购买
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FDD6680AS
库存编号:4518-FDD6680ASDKR-ND		 UMW MOSFET N-CH 30V 55A DPAK2500
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FDD6680AS
库存编号:4518-FDD6680ASTR-ND		 UMW MOSFET N-CH 30V 55A DPAK2500
2500起订		2500+
5000+
7500+
12500+
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FDD6680AS
库存编号:2156-FDD6680AS-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 30V 55A TO2520
528起订		528+
￥7.11
6-10天询价 询价
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FDD6680AS
库存编号:FDD6680ASFSCT-ND		 onsemi MOSFET N-CH 30V 55A TO2520
528起订		6-10天询价 询价
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FDD6680AS
库存编号:FDD6680ASFSDKR-ND		 onsemi MOSFET N-CH 30V 55A TO2520
1起订		1+
￥11.96
6-10天询价 询价
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FDD6680AS
库存编号:FDD6680ASFSTR-ND		 onsemi MOSFET N-CH 30V 55A TO2520
1起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDD6680AS
库存编号:87425325		 FAIRCHILD Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R0
610起订		610+
1000+
￥8.26
￥7.8
1-2周询价 询价
FDD6680AS
库存编号:87425851		 FAIRCHILD Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R0
610起订		610+
1000+
￥8.26
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDD6680AS
库存编号:FDD6680AS		 onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 55A, Idm: 100A, 60W, DPAK0
1起订		1+
5+
25+
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500+
￥10.3
￥8.64
￥7.8
￥6.18
￥5.77
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FDD6680AS产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PowerTrench?，SyncFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-252  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  29nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  10.5 毫欧 @ 12.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  55A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1200pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  60W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDD6680AS
标准包装 1
其它名称 FDD6680ASFSCT

FDD6680AS相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerTrench?，SyncFET??  Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?，SyncFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 PowerTrench?，SyncFET??  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 PowerTrench?，SyncFET??   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-252  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252   技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Fairchild/ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V   FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA   功率耗散（最大值） 60W（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 60W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 60W（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 60W（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
FDD6680AS
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MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDD6680AS
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MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

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型号 制造商 描述 操作
FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
FDD6680AS
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Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R (Alt: FDD6680AS)

RoHS: Compliant

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FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R - Tape and Reel (Alt: FDD6680AS)

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FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET, N, SMD, TO-252

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FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET, N, SMD, TO-252

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型号 制造商 描述 操作
FDD6680AS
[更多]		 ON Semiconductor

N-Channel 30 V 55 A 10.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDD6680AS
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FDD6680AS|Fairchild SemiconductorFDD6680AS
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
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FDD6680AS|Fairchild SemiconductorFDD6680AS
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FDD6680AS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD6680AS		1495268

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 10.5 mohm, 10 V, 1.4 V

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FDD6680AS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD6680AS		1495268RL

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 10.5 mohm, 10 V, 1.4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDD6680AS - Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
FDD6680AS
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
759-9103
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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