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FDFMA2P029Z - 

MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Fairchild/ON Semiconductor FDFMA2P029Z
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDFMA2P029Z
仓库库存编号：
FDFMA2P029ZCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDFMA2P029Z产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VDFN 裸露焊盘  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-MicroFET（2x2）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  10nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  95 毫欧 @ 3.1A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  2.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.1A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  720pF @ 10V  
  FET 功能  肖特基二极管（隔离式）  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  1.4W（Tj）  
  漏源电压（Vdss）  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDFMA2P029Z
标准包装 1
其它名称 FDFMA2P029ZCT

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MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

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-20V -3.1A 95 O PCH ER T

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MOSFET -20V P-Channel PT MFET SCHOTTKY

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Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2P029Z)

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Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R (Alt: FDFMA2P029Z)

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Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V -3.1A 95mOhm 6-Pin WDFN T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2P029Z-F106)

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Fairchild/ON Semiconductor - FDFMA2P029Z - MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2）

型号：FDFMA2P029Z
仓库库存编号：FDFMA2P029ZCT-ND
别名：FDFMA2P029ZCT <br>

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FDFMA2P029Z|FAIRCHILDFDFMA2P029Z
FAIRCHILD		FDFMA2P029Z 系列 20 V 95 mOhm 集成 P沟道 PowerTrench? Mosfet
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FAIRCHILD		FDFMA2P029Z 系列 20 V 95 mOhm 集成 P沟道 PowerTrench? Mosfet
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Fairchild Semiconductor - FDFMA2P029Z - Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFMA2P029Z, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
制造商零件编号：
FDFMA2P029Z
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
739-6197
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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