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FDFME2P823ZT - 

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FDFME2P823ZT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDFME2P823ZT
仓库库存编号:
FDFME2P823ZTCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(1.6x1.6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDFME2P823ZT产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UFDFN 裸露焊盘  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-MicroFET(1.6x1.6)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  7.7nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  142 毫欧 @ 2.3A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.8V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2.6A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  405pF @ 10V  
  FET 功能  肖特基二极管(隔离式)  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.4W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
PCN 设计/规格 Marking Content 19/Nov/2013
标准包装 1
其它名称 FDFME2P823ZTCT

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