FDL100N50F,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDL100N50F
FDL100N50F -
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDL100N50F
仓库库存编号:
FDL100N50F-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100A(Tc) 2500W(Tc) TO-264
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDL100N50F产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
UniFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
238nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
55 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
12000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2500W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
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产品资料
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FDL100N50F
标准包装
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