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FDMA910PZ
FDMA910PZ -
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDMA910PZ
仓库库存编号:
FDMA910PZCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 9.4A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDMA910PZ产品属性
产品规格
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
29nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2805pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
FDMA910PZ
标准包装
1
其它名称
FDMA910PZCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 680mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
FDV303N
仓库库存编号:
FDV303NCT-ND
别名:FDV303NCT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 6-MicroFET(2x2)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2805pF @ 10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.4W(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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