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FDMC8622 - 

MOSFET N-CH 100V 4A POWER33

Fairchild/ON Semiconductor FDMC8622
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDMC8622
仓库库存编号:
FDMC8622CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 4A POWER33
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 4A(Ta),16A(Tc) 2.5W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDMC8622产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerWDFN  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-MLP(3.3x3.3)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  7.3nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  56 毫欧 @ 4A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  6V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A(Ta),16A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  402pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta),31W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDMC8622
标准包装 1
其它名称 FDMC8622CT

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MOSFET N-CH 100V 4A POWER33

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MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin Power 33 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMC8622)

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Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin Power 33 T/R (Alt: FDMC8622)

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

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MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3

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Single N-Channel 100 V 98 mOhm 7.3 nC 2.3 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP-3.3x3.3

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Fairchild/ON Semiconductor - FDMC8622 - MOSFET N-CH 100V 4A POWER33
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4A POWER33

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4A(Ta),16A(Tc) 2.5W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

型号:FDMC8622
仓库库存编号:FDMC8622CT-ND
别名:FDMC8622CT <br>

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Fairchild Semiconductor - FDMC8622 - Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8622, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装

制造商零件编号:
FDMC8622
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9563
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FDMC8622
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDMC8622
2083268

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V

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