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产品规格

封装/外壳	12-PowerWDFN
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	PowerTrench?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	12-Power3.3x5
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	68nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	5.8 毫欧 @ 15A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5245pF @ 30V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	1.1W
关键词

产品资料

数据列表	FDMD8260LET60
标准包装	1
其它名称	FDMD8260LET60CT

封装/外壳 12-PowerWDFN  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 12-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-PowerWDFN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-PowerWDFN   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 PowerTrench?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 12-Power3.3x5  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 12-Power3.3x5  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-Power3.3x5  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-Power3.3x5   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.8 毫欧 @ 15A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.8 毫欧 @ 15A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.8 毫欧 @ 15A，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.8 毫欧 @ 15A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5245pF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5245pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5245pF @ 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5245pF @ 30V   FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 1.1W  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 1.1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.1W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.1W