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产品规格

封装/外壳	6-PowerUFDFN
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	PowerTrench?
包装	剪切带（CT）
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	MicroFet 1.6x1.6 薄型
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	9nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	40 毫欧 @ 6A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	760pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	FDME430NT
标准包装	1
其它名称	FDME430NTCT

封装/外壳 6-PowerUFDFN  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 6-PowerUFDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-PowerUFDFN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-PowerUFDFN   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 PowerTrench?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 PowerTrench?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 上次购买时间  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 MicroFet 1.6x1.6 薄型  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 MicroFet 1.6x1.6 薄型  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 MicroFet 1.6x1.6 薄型  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 MicroFet 1.6x1.6 薄型   技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±12V  Fairchild/ON Semiconductor Vgs（最大值） ±12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 15V   FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.1W（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V